تحقیق بررسی کالیبراسیون

تحقیق بررسی کالیبراسیون در 24 صفحه ورد قابل ویرایش با فرمت doc

مقدمه :

حضوردربازارهای رقابتی فشرده در جهان امروز،صنعتگران را برآن داشته است تا بیش ازگذشته به کیفیت محصولات خودتوجه نمایند.کشورهای در حال توسعه نیز که تمایل به رشد صنعتی دارنداز این قاعده مستثنی نیستند. عوامل متعددی برکیفیت یک محصول تاثیر می گذارند که  در اینجا می توان از دانش فنی،مواد اولیه،نیروی انسانی،تکنولوژی و ماشین آلات و...نام برد.یکی دیگرازاین عوامل موثر،ابزار- های اندازه گیری هستند که وظیفه محک زدن کیفیت محصول را باتوجه به استانداردها بر عهده دارند. برای حصول اطمینان از کیفیت یک محصول، باید ابزارها از صحت ودقت عملکرد لازم برخوردارباشند؛و به همین منظورمفهوم کالیبره کردن  ابزارهای اندازه گیری مطرح می گردد. شناخت اهمیت کالیبراسیون برای تجهیزات اندازه گیری  مستقر در کارخانجات وصنایع یکی از مسایل مهمی بود که با آغازاستقرار استانداردهای سری 9000 در کارخانجات ایران مورد توجه قرار گرفت . در این میان در بعضی از مراکز موجود به علت عدم آگاهی مشاوران یا مسئولین مربوطه حتی الزامات اولیه کالیبراسیون اعم از دانش فنی ،تجهیزات مناسب ،قابلیت ردیابی و ...رعایت نمی شود.حتی از گواهی نامه های کالیبراسیون صادره علیرغم هزینه هایی که در بر دارد نیز اطلاعات لازم جهت استفاده در سیستم اخذ نمی شود.بنابراین به نظر می رسد که درک صحیح و کامل از مفهوم کالیبراسیون،واجرای درست آن، در بهینه سازی سیستم اندازه گیری و نیز در جلو گیری از هزینه های اضافی کمک شایانی می کند .

قیمت : 5,000 تومان

بلافاصله پس از پرداخت ، لینک دانلود به شما نمایش داده می شود و همچنین یک نسخه نیز برای شما ایمیل می شود .



کلمات کلیدی

مقاله فرزند سالاری

مقاله فرزند سالاری در 20 صفحه با فرمت word

مقدمه :

فرزند سالاری

بدون تردید خانواده و چگونگی روابط میان اعضای خانواده و کیفیت ارتباط والدین با فرزندان، در شکل گیری شخصیت و رشد اجتماعی، عاطفی و عقلانی فرزندان نقش و اهمیت فراوانی دارد.      

بدون تردید خانواده و چگونگی روابط میان اعضای خانواده و کیفیت ارتباط والدین با فرزندان، در شکل گیری شخصیت و رشد اجتماعی، عاطفی و عقلانی فرزندان نقش و اهمیت فراوانی دارد. روانشناسان معتقدند محیط خانه اولین و بادوام ترین عامل در رشد شخصیت افراد یک خانواده است.۱ خانواده و نفوذ والدین در فرزندان به جنبه های ارثی محدود نمی شود، بلکه در تمام ابعاد وجودی فرد نقش مؤثری ایفا می کند. کودکان از طریق خانواده و محیط کوچک خانه، با دنیای خارج آشنا می شوند، طرز معاشرت و روابط اجتماعی با دیگران را می آموزند و راه و رسم زندگی، اخلاق و فلسفه اجتماعی و آداب و رسوم آن را فرا می گیرند.

در سه دهه اول قرن میلادی حاضر، روشهای فرزند پروری، با الهام از مکتب رفتار گرایی، درصدد ایجاد عادات "خوب" و خاموش کردن عادات "بد" بود. این دیدگاه ، کنترل شده و غیر عاطفی در زمینه تربیت فرزند به شکل اغراق آمیزی در بیان "جان واتسون" بنیانگذار مکتب رفتار گرایی نمایان است. او می گوید: "برای تربیت کودک شیوه معقولی وجود دارد. با او به شیوه عینی و با استواری ملاطفت آمیزی رفتار کنید، هرگز او را در آغوش نگیرید و روی زانو خود ننشانید. اگر ناچار شوید فقط در موقع شب خوش گفتن، یک بار پیشانی او را ببوسید، صبح هنگام با او دست بدهید"۲.

اما بعد از ۱۹۴۰ شیوه های فرزند پروری در جهت سهل گیری و انعطاف پذیری بیشتر دگرگون شد و متأثر از مکتب روان تحلیل گری بر امنیت عاطفی کودک و پرهیز از زیانهای ناشی از کنترل شدید تأکید گردید. مطابق نظر دکتر "بنیامین اسپاک" به والدین توصیه شد که از حس طبیعی خود پیروی کنند و از برنامه های انعطاف پذیری استفاده نمایند که هم با نیازهای خود آنان و هم با نیازهای کودک سازگاری دارد.

اما در حال حاضر والدین احساس می کنند که سهل گیری، روش مناسبی برای فرزند پروری و ارتباط صحیح والد - فرزندی نیست، لذا نیازمند شیوه جدیدی هستیم که حد فاصل دو روش فوق باشد، یعنی روش "کنترل در حد اعتدال" که هم از افراط گرایی روش اول به دور باشد و هم دچار تفریط روش دوم نشود. 

قیمت : 4,800 تومان

بلافاصله پس از پرداخت ، لینک دانلود به شما نمایش داده می شود و همچنین یک نسخه نیز برای شما ایمیل می شود .



کلمات کلیدی

مقاله بررسی تأثیر نفت عراق بر اقتصاد جهان پس از سرنگونگی رژیم صدام

قیمت : 3,800 تومان

بلافاصله پس از پرداخت ، لینک دانلود به شما نمایش داده می شود و همچنین یک نسخه نیز برای شما ایمیل می شود .



کلمات کلیدی

تحقیق بررسی نابرابری چبیشف

تحقیق بررسی نابرابری چبیشف در 6 صفحه ورد قابل ویرایش با فرمت doc

نابرابری چبیشف

در نظریه احتمالات، نابرابری چبیشف، تضمین می‌کند که در هر نمونه تصادفی یا توزیع احتمال، «تقریباً تمامی» مقادیر، در نزدیکی میانگین خواهند بود. بطور دقیقتر این قضیه بیان می‌کند که حداکثر مقادیری که در هر توزیع می‌تواند بیش از k برابر انحراف معیار با میانگین فاصله داشته باشد، است. این نامساوی بسیار کاربردی است، چون می‌تواند برای هر توزیع دلخواهی به کار برده شود (جز مواردی که میانگین و واریانس نامعلوم اند). بعنوان مثال از این نامساوی برای اثبات قانون ضعیف اعداد بزرگ استفاده می‌شود.

عنوان نامساوی از نام ریاضیدان روسی پاونوتی چبیشف، گرفته شده‌است، اگرچه در ابتدا نامساوی توسط دوست و همکلاسش فرموله شد. این نامساوی را می‌توان بصورت کاملاً کلی با کمک نظریه اندازه، بیان کرد.

فهرست :

مقدمه

شرح مسئله

شرح با نظریه اندازه

شرح احتمالی

نابرابری یک طرفه ی چبیشف

استفاده در تعیین فاصله ی بین میانگین و میانه

اثبات با نابرابری چبیشف

اثبات با نابرابری جنسن

 اثبات (حالت دو سویه نابرابری چبیشف)

اثبات با نظریه اندازه

اثبات احتمالی

قیمت : 4,000 تومان

بلافاصله پس از پرداخت ، لینک دانلود به شما نمایش داده می شود و همچنین یک نسخه نیز برای شما ایمیل می شود .



کلمات کلیدی

مقاله بررسی ترانزیستور

این مقاله شامل یک فایل word قابل ویرایش از ترانزیستور در 26 صفحه میباشد

ترانزیستور

چکیده مقاله :
علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد

متن کامل مقاله :
علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد .

ترانزیستور یک قطعه سه پایه است که ساختار فیزیکی آن بر اساس عملکرد نیمه هادی ها می باشد.ترانزیستور را از دو نوع نیمه هادی با نام سلسیوم و ژرمانیوم می سازند.عموما در یک تقسیم بندی ترانزیستور ها را به دو دسته ترانزیستور های BJT و FET تقسیم می کنند . ترانزیستور های BJT با نام ترانزیستور های پیوند دو قطبی و ترانزیستور های FET با نام ترانزیستور های اثر میدان شناخته شده¬اند.FETها دارای سرعت سوئیچینگ کمتر از BJT هستند .

معمولا ترانزیستور را با دو دیود مدل سازی می کنند از این مدل برای تشخیص سالم بودن ترانزیستور استفاده می کنند.عملکرد ترانزیستور هابه عنوان یک طبقه در مدار بستگی به نظر طراح دارد اما در صورتی که ترانزیستور را یک جعبه سیاه در نظر بگیریم که دارای دو ورودی و دو خروجی است با توجه به اینکه ترانزیستور دارای سه پایه است باید یکی از پایه ها را به عنوان پایه مشترک بین ورودی و خروجی در نظر بگیریم. این پایه مشترک اساس آرایش های مختلف ترانزیستور است .یکی از پایه های ترانزیستور با نام Base و پایه دیگر با نام امیتر (تزریق کننده) و پایه آخر با نام کالکتور (جمع کننده ) شناخته شده است . بسته به اینکه کدامیک از پایه های مذکور به عنوان پایه مشترک در نظر گرفته شود آرایش های بیس مشترکCommon Base – کالکتور مشترکCommon Collector- امیتر مشترک Common Emitter – ممکن خواهد بود.

هر کدام از این آرایش ها دارای یک خصوصیت خواهند بود که متفاوت با دیگر آرایش ها است مثلا امیتر مشترک دارای بهره توان بسیار زیاد است و یا بهره ولتاژ بیس مشترک زیاد است و…

ترانزیستور در هر مداری می تواند متفاوت از قبل ظاهر شود- منبع ولتاژ یا منبع جریان و یا تقویت کننده ولتاژ و ….- این تفاوت را المانهای همراه ترانزیستور که اکثرا مقاومت و خازن(دیود و…) هستند تعیین می کنند نحوه قرار گیری این المانها به همراه ترانزیستور و منبع تغذیه را بایاس ترانزیستور گویند.در مدار های بایاس برای ترانزیستور یک ولتاژ مثبت به همراه زمین یا یک ولتاژ مثبت به همراه ولتاژ منفی را برای ترانزیستور بسته به کاربرد در نظر می گیرند .

عملکرد ترانزیستور ها(BJT) در سه ناحیه تعریف می شود . ۱-ناحیه قطع ۲- نا

یه فعال ۳- ناحیه اشباع
این سه ناحیه بر اساس بایاس پایه های ترانزیستور و ولتاژ آن ها تعریف می شود .
ترانزیستور در مدارات عمدتا به صورت زیر ظاهر می شود :

۱- به عنوان کلید به منظور قطع و وصل قسمتی از مدار

از ترانزیستور در ناحیه قطع و اشباع به عنوان کلید دیجیتال و سوئیچ استفاده می کنند .ولتاژ VCE در حالت اشباع کمتر از ۰٫۲ است . در حالت اشباع توان تلف شده ترانزیستور بسیار کم است زیرا توان تلف شده ترانزیستور از حاصلضرب ولتاژ VCE و IC بدست می آید که هردو مقدار کوچکی هستند.

۲- به عنوان تقویت کننده ولتاژ

۳- به عنوان تقویت کننده جریان

۴- به عنوان منبع جریان ثابت

۵- به عنوان منبع ولتاژ ثابت

و…

در ۴ مورد بعدی بالا از ترانزیستور در ناحیه فعال که همان ناحیه خطی عملکرد ترانزیستور است استفاده می شود .

آرایش های مداری مشهور :

۱- امیتر فالوور (Emitter follower) :

شکل موج خروجی دنبال کننده شکل موج ورودی است (وجه تسمیه) مقاومت کوچک موجود در بیس به منظور جلوگیری از نوسانات ناخواسته قرار گرفته است .

۱- زوج دارلینگتون

هر ترانزیستور دارای یک خصوصیت با نام بتا β است که بهره جریان ترانزیستور است در زوج دارلینگتون بتای زوج ترانزیستور از ضرب ۲β۱*β حاصل می شود که مقداری نزدیک به چند هزار خواهد شد .البته در این آرایش ترانزیستور خروجی باید تحمل این جریان کالکتور را داشته باشد که مسئله مهمی در طراحی است.

۱- منبع جریان ثابت

در این آرایش ولتاژ هر کدام از دیود ها ۰٫۷ است و در نتیجه ولتاژ بیس ترانزیستور ۱٫۴ خواهد شد ولتاژ VBE (ولتاژ بیس – امیتر) هم در حدود ۰٫۷ است پس جریان عبوری از امیتر مقدار ۰٫۷/RE خواهد بود با انتخاب مناسب RE می توان مقدار جریان را به دلخواه انتخاب کرد .

۴ – منبع ولتاژ ثابت

در این مدار ولتاژ خروجی توسط دیود زنر تامین می شود .ولتاژ خروجی تقریبا ۰٫۷ کمتر از ولتاژ شکست زنر است .

ترانزیستور
ترانزیستور

ترانزیستور را معمولاً به عنوان یکی از قطعات الکترونیک می‌‌شناسند. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم (سیلیکان) ساخته می‌شود.
کاربرد
ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. در آنالوگ می‌توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و … استفاده کرد. کاربرد ترانزیستور در الکترونیک دیجیتال شامل مواردی مانند پیاده سازی مدار منطقی، حافظه، سوئیچ کردن و … می‌شود.به جرات می توان گفت که ترانزیستور قلب تپنده الکترونیک است.
عملکرد
ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه می‌‌باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه‌های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می‌توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان‌های دیگر مانند مقاومت‌ها و … جریان‌ها و ولتاژهای لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد.
انواع
دو دسته مهم از ترانزیستورها BJT (ترانزیستور دوقطبی پیوندی) (Bypolar Junction Transistors) و FET (ترانزیستور اثر میدانی) (Field Effect Transistors) هستند. FET ‌ها نیز خود به دو دستهٔ Jfetها (Junction Field Effect Transistors) و MOSFETها (Metal Oxide SemiConductor Field Effect Transistor) تقسیم می‌شوند.

ترانزیستور دوقطبی پیوندی
در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می‌شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلت‌های دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود.
ترانزیستور اثر میدانی(JFET)
در ترانزیستور اثر میدانی با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می‌شوند.نواحی کار این ترانزستورها شامل “فعال” و “اشباع” و “ترایود” است این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون جریان دهی آنها محدود است و به سختی مجتمع می‌شوند.
ترانزیستور اثر میدانی(MOSFET)
این ترانزیستورها نیز مانند Jfetها عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است. همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند که تکنولوژی استفاده از دو نوع آن در یک مدار تکنولوژی CMOS نام دارد. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند.
به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند
البته نقطه کار این ترنزیستورها نسبت به دما حس

اس است وتغییر می‌کند.بنابراین بیشتر در سوئیچینگ بکار می‌‌روند AMB
پیوند به بیرون
• ترانزیستورها چگونه کار می‌کنند ۱
ترانزیستور چگونه کار می کند
اگر ساده بخواهیم به موضوع نگاه کنیم عملکرد یک ترانزیستور را می توان تقویت جریان دانست. مدار منطقی کوچکی را در نظر بگیرید که تحت شرایط خاص در خروجی خود جریان بسیار کمی را ایجاد می کند. شما بوسیله یک ترانزیستور می توانید این جریان را تقویت کنید و سپس از این جریان قوی برای قطع و وصل کردن یک رله برقی استفاده کنید.
موارد بسیاری هم وجود دارد که شما از یک ترانزیستور برای تقویت ولتاژ استفاده می کنید. بدیهی است که این خصیصه مستقیما” از خصیصه تقویت جریان این وسیله به ارث می رسد کافی است که جریان وردی و خروجی تقویت شده را روی یک مقاومت بیندازیم تا ولتاژ کم ورودی به ولتاژ تقویت شده خروجی تبدیل شود.
جریان ورودی ای که که یک ترانزیستور می تواند آنرا تقویت کند باید حداقل داشته باشد. چنانچه این جریان کمتر از حداقل نامبرده باشد ترانزیستور در خروجی خود هیچ جریانی را نشان نمی دهد. اما به محض آنکه شما جریان ورودی یک ترانزیستور را به بیش از حداقل مذکور ببرید در خروجی جریان تقویت شده خواهید دید. از این خاصیت ترانزیستور معمولا” برای ساخت سوییچ های الکترونیکی استفاده می شود.

همانطور که در مطلب قبل (اولین ترانزیستورها) اشاره کردیم ترانزستورهای اولیه از دو پیوند نیمه هادی تشکیل شده اند و بر حسب آنکه چگونه این پیوند ها به یکدیگر متصل شده باشند می توان آنها را به دو نوع اصلی PNP یا NPN تقسیم کرد. برای درک نحوه عملرد یک ترانزیستور ابتدا باید بدانیم که یک پیوند (Junction) نیمه هادی چگونه کار می کند.

در شکل اول شما یک پیوند نیمه هادی از نوع PN را مشاهده می کنید. که از اتصال دادن دو قطعه نیمه هادی P و N به یکدیگر درست شده است. نیمه هادی های نوع N دارای الکترونهای آزاد و نیمه هادی نوع P دارای تعداد زیادی حفره (Hole) آزاد می باشند. بطور ساده می توان منظور از حفره آزاد را فضایی دانست که در آن کمبود الکترون وجود دارد.
اگر به این تکه نیمه هادی از خارج ولتاژی بصورت آنچه در شکل نمایش داده می شود اعمال کنیم در مدار جریانی برقرار می شود و چنانچه جهت ولتاژ اعمال شده را تغییر دهیم جریانی از مدار عبور نخواهد کرد (چرا؟).

قیمت : 14,000 تومان

بلافاصله پس از پرداخت ، لینک دانلود به شما نمایش داده می شود و همچنین یک نسخه نیز برای شما ایمیل می شود .



کلمات کلیدی